📢 Gate廣場獨家活動: #PUBLIC创作大赛# 正式開啓!
參與 Gate Launchpool 第 297 期 — PublicAI (PUBLIC),並在 Gate廣場發布你的原創內容,即有機會瓜分 4,000 枚 $PUBLIC 獎勵池!
🎨 活動時間
2025年8月18日 10:00 – 2025年8月22日 16:00 (UTC)
📌 參與方式
在 Gate廣場發布與 PublicAI (PUBLIC) 或當前 Launchpool 活動相關的原創內容
內容需不少於 100 字(可爲分析、教程、創意圖文、測評等)
添加話題: #PUBLIC创作大赛#
帖子需附帶 Launchpool 參與截圖(如質押記錄、領取頁面等)
🏆 獎勵設置(總計 4,000 枚 $PUBLIC)
🥇 一等獎(1名):1,500 $PUBLIC
🥈 二等獎(3名):每人 500 $PUBLIC
🥉 三等獎(5名):每人 200 $PUBLIC
📋 評選標準
內容質量(相關性、清晰度、創意性)
互動熱度(點讚、評論)
含有 Launchpool 參與截圖的帖子將優先考慮
📄 注意事項
所有內容須爲原創,嚴禁抄襲或虛假互動
獲獎用戶需完成 Gate廣場實名認證
Gate 保留本次活動的最終解釋權
富加鎵業4英寸VB法氧化鎵襯底性能達到國際先進水平
金十數據2月20日訊,記者從杭州光學精密機械研究所獲悉,杭州光機所孵育企業杭州富加鎵業在垂直布里奇曼(VB)法氧化鎵晶體生長領域取得重大突破,經測試單晶質量達到國際先進水平,現同步向市場推出晶體生長設備及工藝包。測試結果表明,使用富加鎵業設備生長出的4英寸VB晶體內無孿晶,單晶襯底XRD半高全寬(FWHM)優於50arcsec,與導模法制備的氧化鎵單晶襯底質量相當,性能達到國際先進水平。