金十データ11月20日、サムスン電子が器興団地にあるNRD-K新半導体研究開発総合体の入機式を開催した。NRD-K半導体研究開発総合体は、サムスン電子DS部下の3大事業部（メモリ、システムLSI、Foundry）の共通の中核研究開発拠点となり、2030年までにこのプロジェクトは約20京ウォンの投資を獲得する。NRD-Kには研究開発専用ラインも含まれ、この生産ラインは2025年中に稼働する予定だ。NRD-K総合体では、3D DRAM、千層V-NANDなどの次世代ストレージチップの開発を加速するため、ASML High NA EUV露光装置、新しい材料沈着装置など最先端の半導体製造ツールが導入される予定だ。
サムスン電子のNRD-K半導体R&Dコンプレックスは、ASML高NA EUV露光装置を装備する
金十データ11月20日、サムスン電子が器興団地にあるNRD-K新半導体研究開発総合体の入機式を開催した。NRD-K半導体研究開発総合体は、サムスン電子DS部下の3大事業部（メモリ、システムLSI、Foundry）の共通の中核研究開発拠点となり、2030年までにこのプロジェクトは約20京ウォンの投資を獲得する。NRD-Kには研究開発専用ラインも含まれ、この生産ラインは2025年中に稼働する予定だ。NRD-K総合体では、3D DRAM、千層V-NANDなどの次世代ストレージチップの開発を加速するため、ASML High NA EUV露光装置、新しい材料沈着装置など最先端の半導体製造ツールが導入される予定だ。